Polycopié du Cours : Eléments de physique des composants électroniques
| dc.contributor.author | Smaani, Billel | |
| dc.date.accessioned | 2024-02-04T08:50:46Z | |
| dc.date.available | 2024-02-04T08:50:46Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.description.abstract | Les différent composants et circuits électroniques mettent à profit les avantages et les propriétés des électrons dans les matériaux formant des semiconducteurs (SC). Il est fondamental, d'aborder l'étude et l’analyse des composants à SC, ainsi bien de définir les grandeurs et les propriétés physiques conditionnent les caractéristiques physiques, électriques de ces composants. En effet, les paramètres cruciaux et fondamentaux des SC sont incontestablement l'état de la population et de la masse électronique à l'équilibre (thermodynamique) et le changement de cette population lorsque le SC obéisse à une agitation (ou perturbation) extérieure, comme le cas d’une tension électrique ou d’un rayonnement. De plus, les composants et les transistors modernes se basent de plus en plus sur le voisinage ou la juxtaposition de matériaux SCs, tels que la jonction PN et les transistors bipolaires. Il est donc essentiel de traduire et préciser les grandeurs électriques et physiques mesurables, les propriétés des matériaux formant des SC et des hétérostructures............. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-boumerdes.dz/handle/123456789/13214 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université M’hamed Bougara de Boumerdes : Faculté des Sciences : Département Ingénierie des Systèmes Electriques | en_US |
| dc.subject | Composants électroniques | en_US |
| dc.subject | Jonction PN | en_US |
| dc.subject | Transistor bipolaire | en_US |
| dc.subject | Transistors à effet de champ | en_US |
| dc.title | Polycopié du Cours : Eléments de physique des composants électroniques | en_US |
