Magister
Permanent URI for this collectionhttps://dspace.univ-boumerdes.dz/handle/123456789/60
Browse
2 results
Search Results
Item Étude et simulation de la poursuite de la trajectoire du soleil par un panneau solaire photovoltaïque(2012) Miloudi, LaliaL'exploitation des énergies renouvelables en Algérie est un grand axe de recherche qui connaît de considérables développements cette dernière décennie. Nous nous intéressons dans cette étude à la conversion de l'énergie solaire électromagnétique (rayonnement) en énergie électrique qui est la conversion photovoltaïque. Nous désirons au moyen d'un module PV obtenir un rendement maximal et ce de le maintenir perpendiculaire aux rayons solaires, mobile suivant deux axes de rotation (l'azimut et l'inclinaison) Pour ce faire nous avons réalisé un programme de poursuite de la trajectoire du soleil le long de la journée sous le logiciel Matlab. Dans l'objectif de cette étude nous avons - En premier lieu défini le principe de la conversion photovoltaïque - En deuxième étape l'influence des conditions géographiques et météorologiques sur le rayonnement solaire - En dernier nous avons sélectionné l'ensemble des formules qui nous permettent de réaliser le programme de calcul de la trajectoire solaire et de repérer la hauteur et l'azimut du soleil, le flux solaire et ses différents composants ainsi que la caractéristique courant -tension et le rendement du module photovoltaïqueItem Caractérisation de l’effet d’irradiation sur les transistors LDD MOSFET par des méthodes basées sur le pompage de charge(2013) Madani, HassanLe but de développer des méthodes de caractérisations fiables est de prévoir la dégradation des circuits intégrés fonctionnement dans un environnement radiatif. Dans cette optique, des travaux considérables ont été menés pour comprendre les mécanismes fondamentaux de l’interaction des radiations ionisantes avec les structures MOS, notamment la création des pièges à l’interface oxyde/silicium. En effet, plusieurs méthodes ont été développées pour extraire les densités des pièges induits par l’irradiation dans les dispositifs MOS.La technique de pompage de charge constitue un puissant outil d'analyse électrique permettant de suivre l'évolution des paramètres des pièges d'interface dans des composants de petites dimensions (dispositifs submicroniques). Dans notre travail, nous avons utilisé la méthode OTCP (Oxide Trap Charge Pumping) qui est basée uniquement sur la technique de pompage de charge et ne nécessite qu’un seul transistor. Elle permet d’estimer la densité des pièges à l’interface et les bordertraps induits par l’irradiation. Pour juger les résultats obtenus par cette méthode, nous avons comparé les résultats de simulation avec des mesures expérimentales. Pour finir, nous avons utilisé une nouvelle méthode basée sur deux techniques standards, la PC et I(V). Les résultats obtenus par la nouvelle méthode sont confronté aux résultats obtenus par d’autres méthodes