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Item Experimental investigation of the charge pumping current in integrated MOS transistors(1998) Rahmoune, FayçalThe aim of this work is the investigation of the charge pumping technique through the variation of the gate voltage pulse width. The main part of this work is related to the investigation of the carge pumping current of MOSFETS and its dependence on the time and voltage parameters of the input gate pulses…Item Etude et réalisation d'une bobine d'helmholtz pour l'étude de la fiabilitédes structures MOS(2014) Merah, Sidi MohammedDans ce travail nous avons réalisé une bobine d'Helmholtz qui génère un champ magnétique maximum de 100 Gauss. Le champ magnétique fourni par cette dernière est réglé et contrôlé par un régulateur PID (Proportionnel, Intégral, Drivée)implanté sous LabVIEW. Nous avons utilisé la bobine réalisée pour étudier la dégradation NBTI (NegativeBiasTemperatureInstability) sous différentes intensités du champ magnétique pour un transistor commercial de puissance VDMOSFET (BS108). Des observations intéressantes ont été constatées. Les résultats expérimentaux ont montré que, d'une part, la dégradation engendrée par le NBTI est moins sous l'application d'un champ magnétique et d'autre part, la dynamique de création des pièges change et la relaxation de la dégradation est plus rapide sous l'application d'un champ magnétique. Ces résultats prometteurs peuvent être exploités pour apporter une augmentation de la durée de vie des transistors MOSFETItem Effect of frequency on the substrate current in MOS devices(1992) Benfdila, ArezkiItem Density distribution of mobile ions in the oxide of MOS structures(1992) Bentarzi, HamidThe present work aims to study the mobile ion distribution in the oxides of MOS structures. The subject is introduced with the necessary background concept of MOS structure dealing with various aspects of oxid and its charges. A review is then...Item Charge-extraction technique for studying the surface-states in MOS devices(1992) Bouderbala, RachidItem Caractérisation de l’effet d’irradiation sur les transistors LDD MOSFET par des méthodes basées sur le pompage de charge(2013) Madani, HassanLe but de développer des méthodes de caractérisations fiables est de prévoir la dégradation des circuits intégrés fonctionnement dans un environnement radiatif. Dans cette optique, des travaux considérables ont été menés pour comprendre les mécanismes fondamentaux de l’interaction des radiations ionisantes avec les structures MOS, notamment la création des pièges à l’interface oxyde/silicium. En effet, plusieurs méthodes ont été développées pour extraire les densités des pièges induits par l’irradiation dans les dispositifs MOS.La technique de pompage de charge constitue un puissant outil d'analyse électrique permettant de suivre l'évolution des paramètres des pièges d'interface dans des composants de petites dimensions (dispositifs submicroniques). Dans notre travail, nous avons utilisé la méthode OTCP (Oxide Trap Charge Pumping) qui est basée uniquement sur la technique de pompage de charge et ne nécessite qu’un seul transistor. Elle permet d’estimer la densité des pièges à l’interface et les bordertraps induits par l’irradiation. Pour juger les résultats obtenus par cette méthode, nous avons comparé les résultats de simulation avec des mesures expérimentales. Pour finir, nous avons utilisé une nouvelle méthode basée sur deux techniques standards, la PC et I(V). Les résultats obtenus par la nouvelle méthode sont confronté aux résultats obtenus par d’autres méthodes