Contribution à l'étude et réalisation d'une technique ultra rapide pour l'étude de la dégradation NBTI

Abstract

Parmi les modes de dégradation limitant la fiabilité des transistors MOSFET, un " nouveau " phénomène communément appelé Negative Bias Temperature Instability (NBTI) est reconnu aujourd'hui comme potentiellement rédhibitoire au bon fonctionnement des circuits à haute température. Avec une puissance consommée en forte augmentation, la dissipation thermique peut atteindre 280W/cm² localement dans la zone de la mémoire cache pour la technologie ultra avancée (dernière génération de Pentium) et la température moyenne de la puce atteindre généralement 80-100 °C. Il est reconnu que le NBTI est du à la création des pièges a l'interface (ÀNit) et dans l'oxyde (ÀNot) se qui conduit à la dérive de la tension de seul (VTH), diminution de courant drain-source et de la mobilité des porteurs de charge. Les mécanismes de création des pièges induits par le NBTI restent jusqu'à présent un des débats très contre verse. Le but de ce projet est la combinaison du pompage de charge (CP) à une impulsion avec la technique Ids(Vgs) ultra rapide sur le même montage expérimental, pour l'extraction des pièges induits par NBTI