Caractérisation des dispositifs électroniques dans les technologies MOS avancées

Abstract

Avec la miniaturisation à une échelle nanométrique, la compréhension des phénomènes thermodynamiques mis en jeux lors de la formation des siliciures tels que : (diffusion, réaction, ségrégation, redistribution et la cinétique de formation des phases) est primordiale. Le premier volet de notre travail consiste à développer un modèle thermodynamique basé sur la chaleur effective de formation. Ensuite nous avons suivi le comportement du dopant (l’Arsenic) au cours de formation des siliciures. Le dopant est stable lorsqu’il se trouve en position substitutionnelle et qui ne diffuse pas en tant qu’une espèce isolée. Ce qui nécessite des techniques de caractérisation fonctionnelles pour décrire ces défauts. Ce que nous avons fait dans le deuxième volet de notre travail qui consiste à appliquées la technique de caractérisation fonctionnelle de Tanner « Equilibrium Voltage Step (EVS) », qui nous a permis l'exploration de la concentration des pièges en oxyde à proximité de l’interface Si-SiO2, entre7إ et 17إ, qui convient à caractériser les défauts dans la structure MOS