Convertisseur a base de transistor sic dans un systeme d'energie renouvlable

dc.contributor.authorMohammed Cherif, Okba
dc.contributor.authorNadji, Bouchra(Directeur de thèse)
dc.date.accessioned2025-06-23T07:00:46Z
dc.date.available2025-06-23T07:00:46Z
dc.date.issued2025
dc.description95 p. : ill. ; 30 cmen_US
dc.description.abstractCette étude examine l’intégration des dispositifs de puissance en silicium, notamment les MOSFET en carbure de silicium (SiC), dans les convertisseurs d’électronique de puissance conçus pour les applications d’énergie renouvelable. Avec la demande croissante en énergie renouvelable, il est essentiel d’améliorer l’efficacité des convertisseurs pour optimiser la production et le stockage d’énergie, tout en réduisant les pertes et en renforçant la fiabilité du système. Les MOSFET en SiC présentent plusieurs avantages par rapport aux dispositifs traditionnels à base de silicium., tels que des fréquences de commutation plus élevées, des pertes réduites, une meilleure conductivité thermique, et la capacité de fonctionner sous des conditions de puissance et de température élevées. Ces atouts les rendent idéaux pour les applications exigeantes, notamment dans les énergies renouvelables, les véhicules électriques et les systèmes industriels. Cette recherche fournit une analyse complète des caractéristiques statiques et dynamiques des MOSFET en SiC. Elle présente une méthodologie détaillée pour l’extraction expérimentale des caractéristiques dynamiques, la modélisation des pertes de commutation à l’allumage, et l’application des MOSFETS SiC dans un convertisseur Double pont actif pour chargeur batteries, démontrant les avantages de la technologie SiC. Les résultats montrent que les MOSFET en SiC améliorent considérablement les performances des systèmes d’électronique de puissance dans les applications d’énergie renouvelable, contribuant à une efficacité accrue, une réduction de la taille des composants et une fiabilité renforcée. En conclusion, cette thèse fournit des perspectives importantes sur l’avenir de l’électronique de puissance, positionnant la technologie SiC comme un élément clé pour des systèmes énergétiques plus efficaces et durablesen_US
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-boumerdes.dz/handle/123456789/15483
dc.language.isoenen_US
dc.publisherUniversite M'Hamed Bougara Boumerdès : Faculté des Hydrocarbures et de la Chimieen_US
dc.subjectElectronique de puissanceen_US
dc.subjectEnergie renouvelableen_US
dc.subjectMosfeten_US
dc.subjectCarbure de siliciumen_US
dc.subjectSiCen_US
dc.subjectTest de double impulsionen_US
dc.subjectPertes de commutationen_US
dc.titleConvertisseur a base de transistor sic dans un systeme d'energie renouvlableen_US
dc.typeThesisen_US

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